天成半导体近日公布一项重要技术成果，通过自主研发的设备，成功制备出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达到30mm。这一成就标志着我国在第三代半导体核心材料领域迈出坚实步伐，尤其在大尺寸单晶生长技术上取得...